可替代用于OLED、LCD等设备LTPS的全新TFT技术

本文摘要：据外媒报导，总部坐落于美国的Solar-Tectic公司，日前在宾汉姆顿大学和BlueWaveSemiconductor的帮助下，取得了全新薄膜晶体管（TFT）技术专利，该技术将有助提升有机发光二极管（OLED）、有源矩阵OLED（AMOLEDs）、液晶设备（LCD）显示器以及太阳能电池设备的效率并减少其成本。

据外媒报导，总部坐落于美国的Solar-Tectic公司，日前在宾汉姆顿大学和BlueWaveSemiconductor的帮助下，取得了全新薄膜晶体管（TFT）技术专利，该技术将有助提升有机发光二极管（OLED）、有源矩阵OLED（AMOLEDs）、液晶设备（LCD）显示器以及太阳能电池设备的效率并减少其成本。与用作生产驱动显示器像素并必须便宜的准分子激光退火的TFT的传统低温多晶硅（LTPS）工艺有所不同，这种新工艺是由金属诱导结晶（MIC）派生而来的，并且用于改性液相外延电子束工艺，需要在较低至232°C的温度下，在金属氧化物，如氧化镁缓冲器基板上沉积厚金属层，然后沉积最后的汽化硅（Si）层并结晶成约50至100nm薄的薄膜，整个流程没任何金属残余物。

通过用于纳曼光谱和X射线光谱对Si膜展开的分析表明出有了超过188cm2/Vs的电子迁移率（而传统的LTPS电子迁入了则为100cm2/Vs）。研究人员期望通过用于ST和BWS定向的MgO（111）薄膜缓冲器基板进一步提高晶体尺寸，从而进一步提高电子迁移率，最后提升设备效率并有效地降低成本。

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